Zobacz większe

BUK9Y19-55B

Indeks: BUK9Y19-55B

Stan: Nowy produkt

AEC-Q101 MOSFET N-kanałowy BUK9Y19-55B,115 55 V 184 A 4 + Tab-Pin LFPAK SMD BUK9Y19

Ten produkt nie występuje już w magazynie

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	184 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	55 V
Typ opakowania	LFPAK
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	4 + Tab
Maksymalna rezystancja dren-źródło	40 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	2.3V
Minimalne napięcie progowe VGS	0.5V
Maksymalna strata mocy	85 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	15 V
Liczba elementów na układ	1
Wysokość	1.05mm
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	18 nC przy 5 V
Długość	5mm
Norma motoryzacyjna	AEC-Q101
Maksymalna temperatura robocza	+175°C
Minimalna temperatura robocza	-55°C
Seria	BUK9Y19
Szerokość	4.1mm